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1377148 Ano: 2012
Disciplina: Português
Banca: FUNRIO
Orgão: CEITEC
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Assinale a alternativa que emprega uma flexão verbal inadequada para os padrões da língua.

 

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1377097 Ano: 2012
Disciplina: Engenharia Eletrônica
Banca: FUNRIO
Orgão: CEITEC
Os dispositivos semicondutores são formados por diversos tipos de junção. Um destes tipos de junção é a chamada junção PN. O componente formado, basicamente, por uma junção PN é o
 

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1377057 Ano: 2012
Disciplina: Engenharia Eletrônica
Banca: FUNRIO
Orgão: CEITEC
O que é o erro de alinhamento?
 

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1377048 Ano: 2012
Disciplina: Direito Administrativo
Banca: FUNRIO
Orgão: CEITEC

Com relação a prazo mínimo até o recebimento das propostas ou da realização do evento a publicação de edital, nos termos da Lei n. 8666/93, é correto considerar o prazo de:

 

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1377020 Ano: 2012
Disciplina: Engenharia Eletrônica
Banca: FUNRIO
Orgão: CEITEC
Quais as principais causas das ondas estacionárias nos fotorresistes?
 

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1377015 Ano: 2012
Disciplina: TI - Redes de Computadores
Banca: FUNRIO
Orgão: CEITEC
Marque a opção correta sobre o modelo de referência OSI.
 

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1377011 Ano: 2012
Disciplina: Engenharia Eletrônica
Banca: FUNRIO
Orgão: CEITEC
Na fabricação de circuitos integrados, existe um fator adicional ao processamento a ser considerado, que é a existência de defeitos. Os defeitos podem ser classificados como defeitos aleatórios ou não aleatórios. Os defeitos não aleatórios estão associados ao processamento em si. Defeitos aleatórios são puntiformes, entretanto capazes de inutilizar uma pastilha (chip). Sua origem normalmente é a contaminação por partículas provenientes da atmosfera ou dos equipamentos e materiais empregados no processamento. A minimização/exclusão dos defeitos aleatórios e não-aleatórios pode ocorrer, respectivamente, através de
 

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1377001 Ano: 2012
Disciplina: Engenharia Eletrônica
Banca: FUNRIO
Orgão: CEITEC
Uma das etapas de fabricação de circuitos integrados é a dopagem de semicondutores. O coeficiente de difusão do Boro no substrato é de 3.10-15 cm2/s à 950º C. A 850ºC o coeficiente de difusão do Boro no substrato é de 1,5.10-16 cm2/s. Sabendo-se que, a 950º C, o processo desejado é realizado em 30 minutos, quanto tempo durará o processo a 850º C, para que se obtenha o mesmo resultado.
 

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1376974 Ano: 2012
Disciplina: Química
Banca: FUNRIO
Orgão: CEITEC
A forma geométrica resultante da região experimental, considerando um experimento com mistura de 3 (três) componentes sem restrições nas proporções dos componentes da mistura é um
 

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O prazo mínimo para que seja mantido acessível o Prontuário Clínico Individual do empregado contendo os registros de dados médicos obtidos nas avaliações clínicas realizadas após seu desligamento é de
 

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