Quando o feixe de elétrons incide sobre uma amostra, os elétrons dos átomos são excitados, mudando de níveis energéticos. Ao retornarem para sua posição inicial, liberam a energia adquirida na forma de ondas com comprimento de onda no espectro de raios-X. Um detector instalado na câmara de vácuo do Microscópio Eletrônico de Varredura mede a energia associada a esse fóton. Como a energia emitida no decaimento dos elétrons é característica para cada elemento químico, é possível, no ponto de incidência do feixe, determinar quais os elementos químicos presentes naquela área.
A técnica descrita acima corresponde a de

Os disparos parasitários ou latch-ups constituem um tipo particular de curto-circuito criado inadvertidamente em circuitos integrados pelo estabelecimento de um caminho de baixa impedância entre os trilhos de alimentação do circuito do MOSFET (transistor de efeito de campo tipo metal-óxido-semicondutor). A estrutura parasita estabelecida pelo latch-up é equivalente ao seguinte tiristor:

Antes do uso, as lâminas de silício são limpas quimicamente para remover partículas e contaminações da superfície, assim como alguns vestígios de impurezas orgânicas, inorgânicas e metálicas. Um procedimento bastante utilizado é o SC1. Com relação a esse procedimento padrão, uma observação é feita: a solução não deve ser fervida. Essa observação tem o seguinte objetivo:

No contexto da implementação física de um circuito integrado afirma-se o que segue.

I. O efeito de eletromigração (EM) é decorrente da alta densidade de corrente e alternância de temperatura nas linhas de interconexão sendo uma das causas de ruptura ou falha mecânica das mesmas.

II. O emprego de bibliotecas de células com múltiplos Vt (tensões de limiar dos transistores) objetiva a redução da corrente de fuga (leakage) em geometrias com canal mais curto.

III. Efeitos de interferência entre trilhas de roteamento têm impacto no incremento do atraso na linha afetado degradando a integridade do sinal.

Sobre as relações de operadores em SVA, pode-se afirmar que:

I. “a within b” é equivalente a “(1[*0:$] ##1 a ##1 1[*0:$]) intersect b”

II. “a ##2 b [*3]” é equivalente a “a ##2 b ##0 a ##2 b ##0 a ##2 b”

III. “a ##1 b [->2:10] ##1 c” é equivalente a “a ##1 ((1[*0:$] ##1 b) [*2:10]) ##1 c”

As propriedades de um filme depositado por spin-on NÃO dependem do seguinte parâmetro:

Um recinto tem cargas térmicas sensíveis e latentes valendo respectivamente 750.000 BTU/h e 250.000 BTU/h. O fator de calor sensível do recinto é

Com relação ao processo de recrutamento externo de pessoal, é correto afirmar que:

Para dois sinais de mesma frequência e defasados, ligados nas entradas de um osciloscópio, tem-se na tela desse equipamento uma elipse Lissajous conforme apresentado na figura abaixo. Assumir que a distância entre os pontos em que a elipse corta o eixo vertical é de 3 divisões e que a distância vertical entre os pontos máximos e mínimos da elipse é de 6 divisões.

Calcule a defasagem entre os dois sinais selecione a alternativa em que se expressa a resposta correta:

Os níveis de tensão permitidos são menores em chips fabricados em processos CMOS padrão com rótulo menor, escalonados com campo constante. Dos fatores abaixo relacionados, qual influencia mais significativamente essa tendência?