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963568 Ano: 2014
Disciplina: Engenharia Eletrônica
Banca: UFES
Orgão: UFES
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Aplica-se uma fonte de tensão senoidal de 120 µV na entrada não inversora de um amplificador operacional 741. Na entrada inversora, liga-se, para a terra, um resistor de 2,4 kΩ e, entre essa entrada inversora e a saída, liga-se um resistor de 240 kΩ. A tensão a ser obtida e medida no terminal de saída será
 

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963567 Ano: 2014
Disciplina: Engenharia Eletrônica
Banca: UFES
Orgão: UFES
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Um transistor bipolar de junção (TBJ) NPN é polarizado por divisor de tensão, sendo R1 = 20 kΩ o resistor que conecta a base à tensão VCC e R2 = 1 kΩ o resistor que conecta a base ao GND (terra do circuito). Sendo Re = 100 Ω o resistor que conecta o emissor ao GND, o mínimo valor do ganho do transistor, β, que permite aplicar análise aproximada de polarização é
 

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Analise o circuito a seguir, considerando: C1 = C2, R1 = R2, R3 = R4 e Q1 = Q2.

enunciado 961629-1

Assinale a alternativa que relaciona a função do circuito apresentado.

 

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961622 Ano: 2014
Disciplina: Engenharia Eletrônica
Banca: IDECAN
Orgão: CNEN
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Relacione as partes do microcontrolador às respectivas funções.

1. CPU.

2. ULA.

3. Registradores.

4. Memória.

5. Barramentos.

( ) Operação entre os dados.

( ) Armazena dados de todos os tipos.

( ) Controle e processamento.

( ) Transferência de dados entre as partes.

( ) Armazena dados que serão operados.

A sequência está correta em

 

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961620 Ano: 2014
Disciplina: Engenharia Eletrônica
Banca: IDECAN
Orgão: CNEN

Microcontroladores são dispositivos que, assim como um microprocessador, fazem parte de sistemas que recebem, processam e enviam dados para controle de diversas aplicações. Com base nas características e aplicações desses dispositivos, assinale a alternativa correta.

 

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961619 Ano: 2014
Disciplina: Engenharia Eletrônica
Banca: IDECAN
Orgão: CNEN

O transistor de efeito de campo de semicondutor de óxido metálico (MOSFET) de potência é um dispositivo amplamente usado como chave em níveis de potência, devido às suas características e vantagens. Baseado nessas características, assinale a alternativa INCORRETA.

 

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961618 Ano: 2014
Disciplina: Engenharia Eletrônica
Banca: IDECAN
Orgão: CNEN

Na eletrônica de potência existem alguns dispositivos semicondutores típicos, conhecidos por trabalharem em conjunto ou em aplicações semelhantes. Com base nesse grupo de dispositivos, assinale a alternativa INCORRETA.

 

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961617 Ano: 2014
Disciplina: Engenharia Eletrônica
Banca: IDECAN
Orgão: CNEN

O SCR (retificador controlado de silício) é um dispositivo semicondutor composto de camadas PNPN, sendo muito utilizado em aplicações na eletrônica de potência. Em relação às suas características e aplicações, analise.

I. Diferentemente do diodo, o SCR possui um terceiro terminal denominado de Porta (Gate), que determina quando o dispositivo muda de estado aberto para o de curto circuito.

II. A tensão inversa de ruptura é aquela acima da qual o SCR entra na região de condução.

III. Uma aplicação bastante comum do SCR é como chave estática, na qual uma corrente de porta flui durante a porção positiva do sinal de entrada ligando o SCR.

IV. O SCR também pode ser aplicado como amplificador de potência devido ao seu alto ganho de corrente.

Estão corretas apenas as afirmativas

 

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961616 Ano: 2014
Disciplina: Engenharia Eletrônica
Banca: IDECAN
Orgão: CNEN

Dado o transistor na configuração Darligton da figura a seguir, considere as correntes Ic1, Ie1 e Ib1 do transistor Q1, e Ic2, Ie2 e Ib2 do transistor Q2; Ic , Ie e Ib, Ie ≈ Ic , sendo que Vbe de cada transistor é, aproximadamente, 0,6 V.

enunciado 961616-1

Em relação às correntes e parâmetros, analise.

I. hfe total = hfe1 x hfe2 = Ic/Ib.

II. Ic = Ic2 + Ic1, porém como Ic1 ≈ Ie1 ≈ Ib2 e Ib2 << Ic2, logo Ic ≈ Ic2.

III. Vbe = Vbe1 = Vbe2, logo Vbe ≈ 0,6V.

IV. Ie1 = Ie e Ib = Ib2.

Estão corretas apenas as afirmativas

 

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961615 Ano: 2014
Disciplina: Engenharia Eletrônica
Banca: IDECAN
Orgão: CNEN

Os amplificadores a transistor podem ser descritos de várias formas, como, por exemplo, pela classe de operação. Portanto, em relação à classe, analise.

I. Classe A: o transistor funciona na região ativa o tempo todo, onde a corrente no coletor varia entre os 360° do ciclo CA.

II. Classe B: a corrente do coletor circula apenas em 180° do ciclo CA.

III. Classe D: a corrente de coletor circula apenas em parte do semiciclo CA.

IV. Classe C: utilizada em técnicas de pulso, ou seja, o transistor chaveia a corrente de coletor.

Estão corretas apenas as afirmativas

 

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