Em algumas situações, a deposição de filmes finos requer íons de baixa energia que incidam perpendicularmente no substrato. Acerca dessas situações, assinale a opção correta.

Um efeito importante decorrente da interação entre o plasma (íons, elétrons e partículas neutras) e o substrato é a ejeção de elétrons secundários. A respeito desse fenômeno, assinale a opção correta.

Acerca dos espalhamentos inelásticos de elétrons, assinale a opção correta.

Considerando o espalhamento elástico e inelástico dos elétrons, assinale a opção correta.

Texto para a questão

Para a deposição de filmes finos, podem-se utilizar diferentes técnicas baseadas na interação entre um plasma e o substrato. Essas técnicas diferem entre si em termos do tipo de descarga que é utilizada para produzir o plasma, da pressão de operação, do uso de campo magnético e da presença ou não de feixes de elétrons e íons. É certo que esses parâmetros influenciam o tempo de deposição, a profundidade de imersão dos íons e a espessura do filme fino, de tal forma que é possível encontrar uma técnica ótima para cada tipo de deposição.

O plasma é produzido à pressão atmosférica em alguns dos dispositivos desenvolvidos para a deposição de filmes finos. Com relação a esse assunto, assinale a opção correta.

Texto para a questão

Para a deposição de filmes finos, podem-se utilizar diferentes técnicas baseadas na interação entre um plasma e o substrato. Essas técnicas diferem entre si em termos do tipo de descarga que é utilizada para produzir o plasma, da pressão de operação, do uso de campo magnético e da presença ou não de feixes de elétrons e íons. É certo que esses parâmetros influenciam o tempo de deposição, a profundidade de imersão dos íons e a espessura do filme fino, de tal forma que é possível encontrar uma técnica ótima para cada tipo de deposição.

Com referência à deposição de filmes empregando-se o dispositivo denominado magnetron, assinale a opção correta.

Texto para a questão

Para a deposição de filmes finos, podem-se utilizar diferentes técnicas baseadas na interação entre um plasma e o substrato. Essas técnicas diferem entre si em termos do tipo de descarga que é utilizada para produzir o plasma, da pressão de operação, do uso de campo magnético e da presença ou não de feixes de elétrons e íons. É certo que esses parâmetros influenciam o tempo de deposição, a profundidade de imersão dos íons e a espessura do filme fino, de tal forma que é possível encontrar uma técnica ótima para cada tipo de deposição.

Dispositivos baseados em descargas de micro-ondas para a produção de plasmas são usados na deposição de filmes finos de diamante. Acerca dessa técnica, assinale a opção correta.

Texto para a questão

Para a deposição de filmes finos, podem-se utilizar diferentes técnicas baseadas na interação entre um plasma e o substrato. Essas técnicas diferem entre si em termos do tipo de descarga que é utilizada para produzir o plasma, da pressão de operação, do uso de campo magnético e da presença ou não de feixes de elétrons e íons. É certo que esses parâmetros influenciam o tempo de deposição, a profundidade de imersão dos íons e a espessura do filme fino, de tal forma que é possível encontrar uma técnica ótima para cada tipo de deposição.

Tendo como referência inicial o texto acima e considerando que cada processo de tratamento de superfície assistido por plasmas permite o crescimento de filmes com um determinado intervalo de espessuras, assinale a opção correta.

Em medidas de microscopia de tunelamento de varredura, é possível determinar a corrente de tunelamento I em função da posição da ponta de prova, mapear !$ { \large dI \over dV} !$ no espaço real e coletar o espectro de !$ { \large dI \over dV} !$ em função do potencial V aplicado. A respeito desse assunto, é correto afirmar que

Para se calcular a corrente de tunelamento em microscopia de varredura de tunelamento e, consequentemente, formar a imagem ou determinar o espectro de densidade de estados, é necessário conhecer as funções de onda dos elétrons da superfície da amostra e da ponta de prova. Porém, poucas vezes se pode tirar vantagem de algum argumento de simetria com relação à ponta de prova. Na maior parte das vezes, é necessário fazer alguma aproximação para se obter a seguinte relação para a corrente de tunelamento I:

!$ I \infty \underset{V}{\sum} | \psi ( \vec{r}_t)^2|^2\,\delta (E_V - E_F) = \rho ( \vec{r}_t, E_F) !$em que V é o potencial aplicado entre a ponta de prova e a amostra, E_V é a energia dos elétrons nível de Fermi da ponta de prova, E_F é a energia do nível de Fermi da superfície da amostra e !$ \rho ( r_p ,E_F) !$ é a densidade de estados em E_F. Com base nessas informações, é correto afirmar que