Empregada na Implementação de LAN's, possui como característica o fato de, no caso de um nó apresentar pane, o restante da rede permanece operacional. Essa topologia é conhecida por:

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2429559 Ano: 2012
Disciplina: Engenharia Eletrônica
Banca: DIRENS Aeronáutica
Orgão: EEAr

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EAGS - Eletrônica
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TransistoresTransistor Junção Bipolar (TJB)

Calcule a potência total fornecida pela fonte.

Dado: Quando polarizada diretamente, V_BE = 0,7 V.

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2429500 Ano: 2012
Disciplina: Engenharia Eletrônica
Banca: UFMT
Orgão: COPEL

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Engenheiro Eletricista Jr
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Circuitos de excitação senoidal, fasores em c.a., impedância e tensão eficaz

Analise o circuito elétrico de corrente alternada da figura abaixo em regime permanente.

Enunciado 2776412-1

A partir das informações do circuito, assinale a afirmativa INCORRETA.

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2429405 Ano: 2012
Disciplina: Engenharia Eletrônica
Banca: IFPI
Orgão: IFPI

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Técnico de Laboratório - Eletrônica
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Circuitos de excitação senoidal, fasores em c.a., impedância e tensão eficaz

Sobre a teoria dos circuitos AC, num circuito RLC série, são INCORRETAS as seguintes afirmativas:

I O circuito é predominantemente capacitivo se !$ |\,X_c\,| >|\,X_L\,| !$ ;

II O circuito é predominantemente indutivo se !$ |\,X_L\,| >|\,X_c\,| !$ ;

III A resistência altera a fase de uma grandeza

IV O circuito estará em ressonância se !$ |\,X_c\,| =|\,X_L\,| !$ ;

V Quanto maior a frequência, menor a reatância indutiva e maior será a reatância capacitiva.

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2429336 Ano: 2012
Disciplina: Engenharia Eletrônica
Banca: IF-CE
Orgão: IF-CE

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Técnico de Laboratório - Indústria
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Semicondutores de potência (DIAC, TRIAC, SCR, IGBT, GTO)

Sobre os semicondutores MOSFET e IGBT, é correto afirmar-se que

A

o IGBT, por apresentar características parecidas ao transistor bipolar, necessita de um circuito de comando com características de fonte de corrente.

B

o MOSFET não apresenta internamente um diodo em antiparalelo com o sentido de condução dreno-source.

C

tanto o MOSFET quanto o IGBT são construídos para operarem com frequência próxima à tensão da rede elétrica.

D

o IGBT normalmente não apresenta um diodo internamente em antiparalelo com o sentido de condução coletor-emissor.

E

tanto os terminais do MOSFET como do IGBT são conhecidos como Gatilho, Coletor e Emissor.

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2429334 Ano: 2012
Disciplina: Engenharia Eletrônica
Banca: IF-SP
Orgão: IF-SP

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Técnico - Eletrotécnica
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Circuitos de excitação senoidal, fasores em c.a., impedância e tensão eficaz

Um sinal senoidal possui uma frequência de 60 Hz, o ângulo de início da onda é de 45º e o valor eficaz da tensão é de 110 V. Qual a expressão desse sinal?

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2429272 Ano: 2012
Disciplina: Engenharia Eletrônica
Banca: IF-SP
Orgão: IF-SP

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Técnico de Laboratório - Eletrônica
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TransistoresTransistor Junção Bipolar (TJB)

No circuito mostrado na figura a seguir, levando em consideração que o transistor está atuando como chave, que a tensão V_CEé igual a 3V e que o rele está especificado na figura, assinale a alternativa correta.