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Foram encontradas 20.975 questões.

2478378 Ano: 2014
Disciplina: Engenharia Eletrônica
Banca: UFBA
Orgão: UNILAB
Os dispositivos de memórias são fundamentais para os circuitos eletrônicos microprocessados, pois permitem o fluxo, a manipulação e o tratamento dos dados que entram e saem no sistema de processamento, como a memória RAM, que é construída em chip de material tipo semicondutor e possui a configuração 8k x 8, contando, necessariamente, com 12 linhas de acesso aos seus endereços.
 

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2478296 Ano: 2014
Disciplina: Engenharia Eletrônica
Banca: COVEST-COPSET
Orgão: UFPE
Considerando as configurações de circuito utilizando-se o amplificador operacional, um exemplo de circuito não linear é o:
 

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2478284 Ano: 2014
Disciplina: Engenharia Eletrônica
Banca: UFAL
Orgão: ALGÁS
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Num tanque de armazenagem de gás natural existem 200 kg de gás cuja composição foi analisada e apresentou a percentagem em peso de metano de 90%. Qual alternativa abaixo indica a quantidade de massa de metano?
 

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2478247 Ano: 2014
Disciplina: Engenharia Eletrônica
Banca: UFSC
Orgão: UFSC
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Considere VBE = 0,7V. É CORRETO afirmar que a tensão VCE está no intervalo de:
Enunciado 2717611-1
 

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2478203 Ano: 2014
Disciplina: Engenharia Eletrônica
Banca: DIRENS Aeronáutica
Orgão: CIAAR

Um dispositivo bastante utilizado na eletrônica, em etapas de circuitos de baixa potência, é o transistor de unijunção. Em relação às aplicações deste semicondutor marque a alternativa incorreta.

 

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2477910 Ano: 2014
Disciplina: Engenharia Eletrônica
Banca: COVEST-COPSET
Orgão: UFPE
Em um instrumento de medida digital, a resolução está associada à quantidade de dígitos, e a precisão está associada à confiabilidade da medição. Mas, em um processo a precisão está associda:
 

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Qual das alternativas apresenta a denominação correta da linha de instrumentação que a figura abaixo representa em um P&ID, segundo as normas ISA?
Enunciado 2712072-1
 

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2477734 Ano: 2014
Disciplina: Engenharia Eletrônica
Banca: UFBA
Orgão: UNILAB
Diferentemente dos TJB, os transistores de efeito de campo não possuem ganho de corrente, sendo a curva de transcondutância o fator que determina a capacidade de geração de corrente de saída ou corrente de dreno – ID –, determinada pela equação de Schokley, que relaciona a ID com a tensão VGS, segundo uma relação quadrática, dada pela expressão !$ I_D = I_{DSS}. \left ( 1- { \large V_{GS} \over V_{GS} -CORTE} \right )^2 !$
 

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2477598 Ano: 2014
Disciplina: Engenharia Eletrônica
Banca: UFAL
Orgão: ALGÁS
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Dois sinais elétricos, no formato de pulsos limitados no tempo, são representados, nas figuras abaixo, com a transformada de Fourier de s(t), na forma polar, dada pela expressão S(ω)=|S(ω)|ejφ(ω).
Enunciado 2707677-1
Considerando as propriedades da transformada de Fourier e as semelhanças e simetrias entre os dois pulsos, a expressão da transformada de Fourier de z(t) é
 

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2477584 Ano: 2014
Disciplina: Engenharia Eletrônica
Banca: FUNCERN
Orgão: IF-RN
Considerando que na arquitetura de um circuito integrado TTL 7404 temos quatorze pinos, em que dois deles são reservados para o Vcc e GND, é correto afirmar que os outros doze pinos são utilizados para entradas e saídas de
 

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