O circuito com três Amplificadores Operacionais na figura abaixo representa um amplificador

Fonte: Eletrônica, Vol. 2. 8ª edição, Malvino, A.; Bates, D.

Um circuito com Amplificador Operacional, na configuração de seguidor de tensão, tem largura de banda máxima e ganho

Analisando as curvas características de um transistor de junção bipolar na configuração emissor comum, para diferentes correntes de base, na figura abaixo, considere as seguintes afirmativas:


Fonte: Eletrônica, Vol. 1. 8ª edição, Malvino, A.; Bates, D.

I. Na região ativa, cada corrente do coletor IC é 100 vezes maior que sua corrente de base correspondente.
II. A corrente de coletor é constante na região ativa.
III. Nas regiões ativas, o beta cc é igual a 100.
IV. Na região de saturação, a corrente do coletor IC não é igual a zero quando a corrente da base IB equivale a zero.

São verdadeiras as afirmativas

Considere as seguintes afirmativas para um transistor de junção bipolar:

I. O alfa cc de um transistor é definido como a corrente cc do coletor dividida pela corrente cc da base.
II. A polarização da base é usada quando se deseja que o transistor funcione como chave.
III. Em um transistor, a camada de depleção do diodo coletor é mais estreita que a camada de depleção do diodo emissor.
IV. O ponto de interseção superior da reta de carga é chamado saturação e o ponto de interseção inferior é chamado corte.

São verdadeiras as afirmativas

Considere um transistor ideal com ganho de corrente igual a 200 operando na região ativa na figura abaixo.




O seu ponto quiescente de operação possui corrente de coletor, em mA, e tensão entre emissor e coletor, em V, respectivamente, iguais a

Na figura abaixo, os valores da corrente de saturação, em mA, e da tensão de corte, em V, são, respectivamente, de

Analisando a curva de um dispositivo real comercialmente disponível, na figura da curva característica do diodo de silício abaixo, considere as seguintes afirmativas:



Fonte: Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos, 11ª edição, Boylestad, R.L; Nashelsky, L.


I. Para uma corrente ID de 9 mA, a tensão V_D através do diodo é 0,8 V.
II. O nível de resistência cc do diodo quando V_D = - 20 V é igual a 400 GΩ.
III. O diodo começa a conduzir a partir de V_D = 0 V.

É(São) verdadeira(s) a(s) afirmativa(s)

Na teoria de semicondutores, em um material do tipo n, o elétron e a lacuna são chamados, respectivamente, de

Os controladores lógicos programáveis (CLPs) são, essencialmente, computadores digitais que servem para controlar processos ____________. Ao contrário dos computadores para uso geral, esses são desenvolvidos com várias ____________, faixas estendidas de temperatura, imunidades para ____________ e resistência a vibrações e impactos.

Assinale a alternativa que preenche, correta e respectivamente, as lacunas do trecho acima.

Segundo Balbinot (2010), o field effect transistor (FET), ou transistor de efeito de campo, é um dispositivo unipolar, sua operação parte do princípio de que um campo elétrico perpendicular a um fluxo de corrente controla a resistência de um canal constituído por portadores do tipo “P” ou portadores do tipo “N”, os quais constituem, respectivamente, FET de canal P e FET de canal P e FET de canal N. Referente às principais vantagens do FET em relação ao transistor bipolar, assinale V, se verdadeiras, ou F, se falsas.

( ) Baixa impedância de entrada.

( ) Maior imunidade a ruído.

( ) Menor estabilidade térmica.

( ) Fabricação relativamente simples.

A ordem correta de preenchimento dos parênteses, de cima para baixo, é: