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Os transistores bipolares de junção foram desenvolvidos, na década de 50, pelos cientistas William Shockley, John Bardeen e Walter H. Brattain e, hoje, estão cada vez mais presentes nos equipamentos eletrônicos que utilizamos. Sem eles, a nossa sociedade, como conhecemos não existiria. Nesse contexto, assinale a alternativa INCORRETA.
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Avalie a montagem a seguir, com as quatro lâmpadas idênticas (incandescentes) e com especificação 110 V – 100 W para responder a questão.

A resistência equivalente do circuito vale aproximadamente o descrito na alternativa:
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942025
Ano: 2016
Disciplina: Engenharia Eletrônica
Banca: BIO-RIO
Orgão: Pref. Barra Mansa-RJ
Disciplina: Engenharia Eletrônica
Banca: BIO-RIO
Orgão: Pref. Barra Mansa-RJ
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Observe a figura . O símbolo representado na figura 4 refere-se a:

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As SRAMs são memórias que têm latches como células de armazenamento e as DRAMs têm armazenamento capacitivo. Sobre esses dois tipos de memória, é correto afirmar que as memórias:
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Observe a expressão Booleana a seguir:
O circuito que representa esta expressão é:
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Considere que um técnico analise o circuito lógico a seguir e extraia a expressão equivalente de S, função de A, B, C e D:

Utilizando os recursos fornecidos pela Álgebra de Boole, assinale a expressão simplificada encontrada pelo técnico após minimizar esta função.
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Analise o circuito a seguir:

Assinale a alternativa que apresenta a tensão entre as armaduras do capacitor C, supondo o gerador ideal.
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Uma das etapas mais importantes do processamento de um sinal digital é a amostragem do sinal de banda W, que consiste em tomar amostras do sinal em intervalos iguais a Δt. Nesse contexto, é correto afirmar que:
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Em um determinado circuito trifásico, com sequência de fases ABC, foi constatado a tensão
. Assinale, dentre as alternativas apresentadas, a que corresponda ao valor da tensão VCN .
. Assinale, dentre as alternativas apresentadas, a que corresponda ao valor da tensão VCN .Provas
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O símbolo representado na figura refere-se a:

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