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Observe o circuito abaixo.

Sabendo que o· circuito acima utiliza dois transistores iguais e considerando !$ \beta = 50, V_{BE} = 0,7 V, R1 = 3M \Omega !$ e !$ R2 = 176 \Omega !$, é correto afirmar que a corrente /81é igual a:
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Considerando-se a etapa de amostragem do sinal no processo de digitalização de sinais analógicos, qual deverá ser a taxa mlnima de amostragem, por segundo, para um sinal cuja frequência máxima é 20 kHz, de acordo com o teorema da amostragem de Nyquist?
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Toda a instalação deve ser periodicamente verificada por pessoas credenciadas ou qualificadas, com uma frequência que varia de acordo com a importância da instalação. Esse contexto trata de que tipo de manutenção?
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Considere as seguintes grandezas da Luminotécnica: !luminância, Fluxo Luminoso, Luminância, Eficiência Luminosa e Intensidade Luminosa. Quais as unidades de medida que correspondem a essas grandezas, respectivamente?
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Observe o circuito abaixo.

Calcule a tensão de polarização Vos do circuito e assinale a opção correta.
Dados: !$ R_1 = 10 \Omega\,K \Omega; R_2 = 5\,K \Omega, R_D= 1 K \Omega; R_S = 4 K \Omega V_{DD} = 15 V; !$e
!$ I_D = I_{DSS} \left ( 1 - { \large V_{GS} \over V_p} \right)^2 !$
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Uma das propriedades das portas lógicas é a suficiência de NE (NANO), segundo a qual é possível montar circuitos lógicos utilizando somente portas lógicas desse tipo. Utilizando somente portas NE (NANO) de duas entradas, assinale a opção que apresenta a quantidade mínima de portas que seriam necessárias para montar um circuito lógico para a função abaixo.
!$ A. B + A \bar{C} !$
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Observe o circuito abaixo.

Considerando o circuito acima, calcule o valor de L para que a frequência de ressonância do circuito seja 1000 kHz e assinale a opção correta.
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Sobre circuitos de corrente alternada, assinale a opção INCORRETA.
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Observe o circuito abaixo.

Considere que o amplificador operacional possui ganho A = 10 VN e resistências de entrada r1 = 40 kO e de salda r0 = 4 k!$ \Omega !$, não podendo ser aproximado por um amplificador operacional ideal. Assim, determine o ganho VoN1, aproximadamente, e assinale a opção correta.
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Coloque F (falso) ou V (verdadeiro) nas afirmativas abaixo, em relação às propriedades dos dispositivos semicondutores, assinalando a seguir a opção correta.
( ) Os semicondutores são uma classe especial de elementos cuja condutividade está entre a de um bom condutor e a de um isolante.
( ) Em um cristal de silício ou germânio dopado, os quatro elétrons de valência de um átomo formam um arranjo de ligação com quatro átomos adjacentes.
( ) Um material semicondutor que tenha sido submetido ao processo de dopagem é chamado de material intrlnseco.
( ) O material do tipo 'p' é formado pela dopagem de um cristal puro de germânio ou silício com átomos de impureza que possuem cinco elétrons de valência.
( ) Em um material do tipo p, a lacuna é o portador majoritário e o elétron é o portador minoritário.
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