Considerando a figura precedente, que ilustra a geometria de uma porta do tipo MOS, julgue o item a seguir.

A resistência elétrica da camada dielétrica de óxido sob a porta metálica do MOSFET é inferior à resistência do canal semicondutor quando polarizado.

Considerando a figura precedente, que ilustra a geometria de uma porta do tipo MOS, julgue o item a seguir.

Nas regiões de dreno e fonte do MOSFET ilustrado, a dopagem é superior àquela aplicada ao substrato tipo p.

Considerando a figura precedente, que ilustra a geometria de uma porta do tipo MOS, julgue o item a seguir.

A ilustração mostra a estrutura de um transistor PMOS do tipo depleção.

Considerando a figura precedente, que ilustra a geometria de uma porta do tipo MOS, julgue o item a seguir.

Na ilustração, a dimensão identificada por W corresponde à largura do canal do MOSFET.

A partir dos diagramas de blocos e esquemático de um amplificador operacional, apresentados anteriormente, julgue o próximo item.


No processo de design de um amplificador operacional CMOS, a seleção do tamanho dos dispositivos MOSFET e das correntes de polarização tem influência direta em parâmetros tais como ganho, CMRR, dissipação de potência, ruído e taxa de variação (slew rate). Esse processo é iterativo e requer ajustes baseados em simulações, em que aumentar o tamanho dos MOSFETs (aumentando W) com uma menor V_GS (tensão entre porta e fonte) pode melhorar o emparelhamento, aumentar o ganho e reduzir o ruído, porém, podendo resultar em uma área de layout maior e potencialmente em menor velocidade de operação.

A partir dos diagramas de blocos e esquemático de um amplificador operacional, apresentados anteriormente, julgue o próximo item.


No amplificador operacional CMOS mostrado, o amplificador diferencial deve fornecer a maior parte do ganho do sistema, enquanto o estágio de ganho em fonte comum serve principalmente para prover a compensação de frequência necessária; o buffer de saída é utilizado para equalizar as tensões de entrada diferencial sem amplificar o sinal.

Em relação a circuitos integrados em larga escala de fabricação (VLSI), julgue o item que se segue.

Nos circuitos CMOS, devido à diferença de mobilidade entre lacunas e elétrons em materiais semicondutores, os transistores NMOS usados em circuitos digitais têm aproximadamente o dobro do tamanho dos transistores PMOS.

Em relação a circuitos integrados em larga escala de fabricação (VLSI), julgue o item que se segue.

Em materiais semicondutores fabricados com silício, a mobilidade de elétrons é maior que a mobilidade das lacunas, por isso, na fabricação de circuitos de alto desempenho e baixo consumo, é empregada, predominantemente, a tecnologia que utiliza apenas transistores NMOS.

Em relação a circuitos integrados em larga escala de fabricação (VLSI), julgue o item que se segue.

O diagrama a seguir ilustra uma configuração compatível com uma porta lógica inversora CMOS, com a entrada representada por V_e e a saída, pela tensão V_s.

Em relação a circuitos integrados em larga escala de fabricação (VLSI), julgue o item que se segue.

O diagrama a seguir ilustra uma configuração compatível com uma porta lógica NOR CMOS, com as entradas representadas por VA e VB a saída, pela tensão VS.