Magna Concursos

Foram encontradas 50 questões.

1375097 Ano: 2012
Disciplina: Engenharia Eletrônica
Banca: FUNRIO
Orgão: CEITEC
As afirmativas abaixo se referem à problemática de produção industrial eficiente de circuitos integrados.
Dentre elas aponte a que NÃO é correta.
 

Provas

Questão presente nas seguintes provas
1375031 Ano: 2012
Disciplina: Português
Banca: FUNRIO
Orgão: CEITEC
Provas:

“Todos querem que nós_________________________.”

Apenas uma das alternativas completa coerente e adequadamente a frase acima. Assinale-a.

 

Provas

Questão presente nas seguintes provas
1374576 Ano: 2012
Disciplina: Engenharia Eletrônica
Banca: FUNRIO
Orgão: CEITEC
A corrosão por plasma é um dos processos subtrativos utilizados em microfabricação. Aponte, dentre as alternativas abaixo, a que NÃO é correta.
 

Provas

Questão presente nas seguintes provas
1374015 Ano: 2012
Disciplina: Engenharia Eletrônica
Banca: FUNRIO
Orgão: CEITEC
Aponte dentre as afirmativas abaixo, aquela que NÃO é correta.
 

Provas

Questão presente nas seguintes provas
1373966 Ano: 2012
Disciplina: Português
Banca: FUNRIO
Orgão: CEITEC
Provas:

“Se eu já soubesse o que o poema diria, não precisaria escrevê-lo. Escrevo para desaprender o que eu achava que sabia sobre aquilo que me vai sendo ensinado enquanto escrevo.”

Antonio Carlos Secchin faz um interessante jogo de palavras ao falar do fazer poético. Nessas duas frases, observa-se o emprego expressivo de que classe gramatical?

 

Provas

Questão presente nas seguintes provas
1372790 Ano: 2012
Disciplina: Engenharia Eletrônica
Banca: FUNRIO
Orgão: CEITEC
Silício se cristaliza na estrutura do diamante, com parâmetro de rede igual a 5,43 Å. A estrutura do diamante é composta de dois cubos de face centrada deslocados de ¼ ao longo da sua diagonal principal. Qual a densidade de sítios atômicos na superfície (110) de um monocristal de silício?
 

Provas

Questão presente nas seguintes provas
1372426 Ano: 2012
Disciplina: Engenharia Eletrônica
Banca: FUNRIO
Orgão: CEITEC
50 kg de silício policristalino de grau eletrônico é colocado no cadinho de um sistema de crescimento Czochralsky. A massa molar do silício é 28,09 g/mol e a massa molar do boro é 10,81 g/mol. O coeficiente de segregação do boro na interface entre o silício fundido e o sólido é 0,8.
A relação entre resistividade e concentração de impurezas está mostrada na figura abaixo.
Enunciado 1372426-1
Avalie quanto boro é necessário adicionar ao cadinho de maneira a puxar um cristal com resistividade de 1 ohm.cm.
 

Provas

Questão presente nas seguintes provas
1413030 Ano: 2012
Disciplina: Engenharia Eletrônica
Banca: FUNRIO
Orgão: CEITEC
Avalie a capacitância da junção p-n da questão 18, considerando que essa tem uma seção circular de 100 mm de diâmetro.
Questão Anulada

Provas

Questão presente nas seguintes provas
1402939 Ano: 2012
Disciplina: Engenharia Eletrônica
Banca: FUNRIO
Orgão: CEITEC
As afirmativas abaixo se referem às dificuldades relativas ao aumento da integração nos circuitos integrados. São afirmativas verdadeiras, EXCETO:
Questão Anulada

Provas

Questão presente nas seguintes provas
1377439 Ano: 2012
Disciplina: Engenharia Eletrônica
Banca: FUNRIO
Orgão: CEITEC
Avalie a corrente de saturação em 300 K para a junção p-n de Si das questões 18 e 19. Considere tp = tn = 0,5 ms.
Questão Anulada

Provas

Questão presente nas seguintes provas