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1246579 Ano: 2017
Disciplina: Engenharia Eletrônica
Banca: IF-TO
Orgão: IF-TO
Em relação aos tiristores, é correto afirmar que:
 

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1246578 Ano: 2017
Disciplina: Engenharia Eletrônica
Banca: IF-TO
Orgão: IF-TO
A alternativa correta sobre o PIC (controlador de interface programável) é:
 

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1246577 Ano: 2017
Disciplina: Engenharia Eletrônica
Banca: IF-TO
Orgão: IF-TO
No teste de um audioamplificador foi aplicado um sinal que elevou a potência de entrada de 30 mW para uma potência de saída de 3 W. O ganho de potência em dB desse amplificador é:
 

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1246576 Ano: 2017
Disciplina: Engenharia Eletrônica
Banca: IF-TO
Orgão: IF-TO

Com relação à polarização CC de TBJ (transistor bipolar de junção), faça uma comparação acerca da estabilidade (menor variação de ICQ e VCEQ), dos modelos de polarização fixa, polarização do emissor e polarização por divisor de tensão e observe as asserções abaixo.

I. A polarização fixa apresenta melhor estabilidade quando comparada com a polarização por divisor de tensão. Isto é, neste modelo as correntes e tensões CC permanecem próximas aos valores estabelecidos pelo circuito quando modificações nas condições externas, como temperatura e β, ocorrem.

II. A polarização por divisor de tensão apresenta melhor estabilidade quando comparada com a polarização fixa. Isto é, neste modelo as correntes e tensões CC permanecem próximas aos valores estabelecidos pelo circuito quando modificações nas condições externas, como temperatura e β, ocorrem.

III. A polarização do emissor apresenta melhor estabilidade quando comparada com a polarização por divisor de tensão. Isto é, neste modelo as correntes e tensões CC não permanecem próximas aos valores estabelecidos pelo circuito quando modificações nas condições externas, como temperatura e β, ocorrem.

Com relação às afirmativas é correto afirmar.

 

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1216081 Ano: 2017
Disciplina: Engenharia Eletrônica
Banca: FUNCERN
Orgão: IF-RN
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Para responder à questão, quando necessário, considere:

π = 3,14 √2 = 1,41

Um circuito combinacional é utilizado para contar os números 1s presentes em três entradas de um bit: A, B e C. Como saída, fornece esse número em binário por meio de duas saídas Z1 e Z0, sendo Z1 o bit mais significativo. O número de 1s, nas três entradas, pode variar de 0 a 3. Desse modo, a saída de dois bits é suficiente para representar esses números.

As equações lógicas que representam Z1 e Z0 são

 

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1216080 Ano: 2017
Disciplina: Engenharia Eletrônica
Banca: FUNCERN
Orgão: IF-RN
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Para responder à questão, quando necessário, considere:

π = 3,14 √2 = 1,41

Observe a figura abaixo que representa um conversor analógico-digital adequado para implementação em tecnologia CMOS, do tipo conversor por distribuição de cargas, 8 bits e com tensão de referência 8 V.

enunciado 1216080-1

Para o conversor do diagrama esquemático, a máxima tensão de conversão e a palavra digital correspondente à entrada analógica VA = 3 V são, respectivamente,

 

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1216079 Ano: 2017
Disciplina: Engenharia Eletrônica
Banca: FUNCERN
Orgão: IF-RN
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Para responder à questão, quando necessário, considere:

π = 3,14 √2 = 1,41

Analise a figura abaixo que projeta um circuito representando o diagrama esquemático de um sensor de temperatura de estado sólido.

enunciado 1216079-1

Fonte: FUNCERN, 2017.

Considerando os transistores Q1 e Q2 idênticos (Is1= Is2) com parâmetro de processo n= 1, o valor da constante de Boltzmann (k) igual a 1,38x10-23 J/K, a carga do elétron (q) igual a 1,6x10-19 C e ln 3 = 1,1, a sensibilidade obtida para o dispositivo sensor é de

 

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1216078 Ano: 2017
Disciplina: Engenharia Eletrônica
Banca: FUNCERN
Orgão: IF-RN
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Para responder à questão, quando necessário, considere:

π = 3,14 √2 = 1,41

Para responder a questão, considere o texto abaixo.

Um transistor de efeito de campo (FET) é fabricado com uma relação enunciado 1216078-1 em uma tecnologia 0,18 μm. Seu isolante de porta tem espessura tox= 4 nm, seus elétrons têm mobilidade μn=450 cm2 /V.s, sua tensão de limiar de condução é Vth= 0,48 V e sua capacitância da porta por unidade de área é Cox= 8,6 fF/μm2 .

Para o FET descrito, o valor da tensão entre porta e fonte (VGS), necessário para fazer com que o dispositivo opere como um resistor de 1 kΩ com tensão entre dreno e fonte (VDS) muito pequena, é

 

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1216077 Ano: 2017
Disciplina: Engenharia Eletrônica
Banca: FUNCERN
Orgão: IF-RN
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Para responder à questão, quando necessário, considere:

π = 3,14 √2 = 1,41

Para responder a questão, considere o texto abaixo.
Um transistor de efeito de campo (FET) é fabricado com uma relação enunciado 1216077-1 em uma tecnologia 0,18 μm. Seu isolante de porta tem espessura tox= 4 nm, seus elétrons têm mobilidade μn=450 cm2 /V.s, sua tensão de limiar de condução é Vth= 0,48 V e sua capacitância da porta por unidade de área é Cox= 8,6 fF/μm2 .

Para que o FET descrito opere na região de saturação com uma corrente de dreno ID= 50 μA, o valor da tensão mínima entre dreno e fonte (VDS mínimo) é
 

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1216076 Ano: 2017
Disciplina: Engenharia Eletrônica
Banca: FUNCERN
Orgão: IF-RN
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Para responder à questão, quando necessário, considere:

π = 3,14 √2 = 1,41

Observe a figura abaixo que representa um circuito em que as resistências de entrada e saída do amplificador operacional são, respectivamente, infinita e zero, bem como a = 104 é o seu ganho de malha aberta.

enunciado 1216076-1

Fonte: FUNCERN, 2017.

Para R1= 8,2 kΩ e R2= 82 kΩ, o ganho de malha fechada do circuito é de

 

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