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Com relação à polarização CC de TBJ (transistor bipolar de junção), faça uma comparação acerca da estabilidade (menor variação de ICQ e VCEQ), dos modelos de polarização fixa, polarização do emissor e polarização por divisor de tensão e observe as asserções abaixo.
I. A polarização fixa apresenta melhor estabilidade quando comparada com a polarização por divisor de tensão. Isto é, neste modelo as correntes e tensões CC permanecem próximas aos valores estabelecidos pelo circuito quando modificações nas condições externas, como temperatura e β, ocorrem.
II. A polarização por divisor de tensão apresenta melhor estabilidade quando comparada com a polarização fixa. Isto é, neste modelo as correntes e tensões CC permanecem próximas aos valores estabelecidos pelo circuito quando modificações nas condições externas, como temperatura e β, ocorrem.
III. A polarização do emissor apresenta melhor estabilidade quando comparada com a polarização por divisor de tensão. Isto é, neste modelo as correntes e tensões CC não permanecem próximas aos valores estabelecidos pelo circuito quando modificações nas condições externas, como temperatura e β, ocorrem.
Com relação às afirmativas é correto afirmar.
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Para responder à questão, quando necessário, considere:
π = 3,14 √2 = 1,41
Um circuito combinacional é utilizado para contar os números 1s presentes em três entradas de um bit: A, B e C. Como saída, fornece esse número em binário por meio de duas saídas Z1 e Z0, sendo Z1 o bit mais significativo. O número de 1s, nas três entradas, pode variar de 0 a 3. Desse modo, a saída de dois bits é suficiente para representar esses números.
As equações lógicas que representam Z1 e Z0 são
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Para responder à questão, quando necessário, considere:
π = 3,14 √2 = 1,41
Observe a figura abaixo que representa um conversor analógico-digital adequado para implementação em tecnologia CMOS, do tipo conversor por distribuição de cargas, 8 bits e com tensão de referência 8 V.

Para o conversor do diagrama esquemático, a máxima tensão de conversão e a palavra digital correspondente à entrada analógica VA = 3 V são, respectivamente,
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Para responder à questão, quando necessário, considere:
π = 3,14 √2 = 1,41
Analise a figura abaixo que projeta um circuito representando o diagrama esquemático de um sensor de temperatura de estado sólido.

Fonte: FUNCERN, 2017.
Considerando os transistores Q1 e Q2 idênticos (Is1= Is2) com parâmetro de processo n= 1, o valor da constante de Boltzmann (k) igual a 1,38x10-23 J/K, a carga do elétron (q) igual a 1,6x10-19 C e ln 3 = 1,1, a sensibilidade obtida para o dispositivo sensor é de
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Para responder à questão, quando necessário, considere:
π = 3,14 √2 = 1,41
Para responder a questão, considere o texto abaixo.
Um transistor de efeito de campo (FET) é fabricado com uma relação
em uma tecnologia 0,18 μm. Seu isolante de porta tem espessura tox= 4 nm, seus elétrons têm mobilidade μn=450 cm2 /V.s, sua tensão de limiar de condução é Vth= 0,48 V e sua capacitância da porta por unidade de área é Cox= 8,6 fF/μm2 .
Para o FET descrito, o valor da tensão entre porta e fonte (VGS), necessário para fazer com que o dispositivo opere como um resistor de 1 kΩ com tensão entre dreno e fonte (VDS) muito pequena, é
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Para responder à questão, quando necessário, considere:
π = 3,14 √2 = 1,41
Um transistor de efeito de campo (FET) é fabricado com uma relação
em uma tecnologia 0,18 μm. Seu isolante de porta tem espessura tox= 4 nm, seus elétrons têm mobilidade μn=450 cm2 /V.s, sua tensão de limiar de condução é Vth= 0,48 V e sua capacitância da porta por unidade de área é Cox= 8,6 fF/μm2 . Para que o FET descrito opere na região de saturação com uma corrente de dreno ID= 50 μA, o valor da tensão mínima entre dreno e fonte (VDS mínimo) é
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Para responder à questão, quando necessário, considere:
π = 3,14 √2 = 1,41
Observe a figura abaixo que representa um circuito em que as resistências de entrada e saída do amplificador operacional são, respectivamente, infinita e zero, bem como a = 104 é o seu ganho de malha aberta.

Fonte: FUNCERN, 2017.
Para R1= 8,2 kΩ e R2= 82 kΩ, o ganho de malha fechada do circuito é de
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