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Considere a seguinte chave eletrônica:

De posse de um multímetro analógico na escala de resistência x10k, suponha a realização dos seguintes ensaios:

Ainda a respeito da chave eletrônica da figura, após o Ensaio I da figura anterior são realizadas as seguintes aferições:

Podemos inferir agora que o transistor encontra-se
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Considere a seguinte chave eletrônica:

De posse de um multímetro analógico na escala de resistência x10k, suponha a realização dos seguintes ensaios:

A fim de atestar o funcionamento da chave, o resultado dos ensaios I e II devem resultar, respectivamente
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Considere o Diodo Zener com as seguintes características fornecidas pelo fabricante:
• Máxima potência dissipada pelo encapsulamento PZ(max) = 500mW.
• Corrente mínima de de Zener Iz = 0,5mA.
• Tensão de Zener Vz =12V.
Supondo que o Diodo Zener esteja funcionando corretamente para a regulação de carga, calcule os valores aproximados de mínimo e máximo admissíveis para a carga resistiva RL.

Os valores obtidos foram, respectivamente
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Considere o seguinte arranjo de transistores:

De forma analítica, o ganho total da corrente de coletor Ic em relação a corrente de base Ib é dado por
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Considere os itens a respeito do arranjo em série e paralelo de chaves eletrônicas e atribua V para verdadeiro ou F se falso.
( ) Para o aumento da capacidade de condução de corrente, TBj's em paralelo devem ter observado seus coeficientes de temperatura (negativo para TBJ's) pois se um dos transistores conduzir mais corrente, sua resistência em sentido direto diminui e sua corrente aumenta ainda mais.
( ) Em IGBT's o paralelismo é mais simples, pois os mesmos possuem coeficientes de temperatura positivos e constantes de maneira a facilitar seu paralelismo para divisão da condução de corrente.
( ) Para conexão de TBJ's em série, o tempo de entrada e saída de condução devem ser observados de maneira a não permitir que o dispositivo mais lento para condução ou rápido para o desligamento seja submetido a toda tensão de coletor/emissor.
( ) Já para o paralelismo de MOSFET's, uma vez que o aquecimento da chave implica em um aumento na resistência em sentido direto, o desvio da corrente resultante impede o paralelismo deste tipo de chave.
Assinale a sequência correta, no sentido de cima para baixo.
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Considere a seguinte implementação usando ressonadores LCR de um filtro de segunda ordem.
O arranjo equivale a um filtro do tipo

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Considere o seguinte esquema associado ao estágio de saída de um aplificador de potência:

Sobre o arranjo, é incorreto afirmar que
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Considere o seguinte circuito formado por uma chave CH1, um diodo ideal D1 e uma impedância Z conforme ilustrado na FIGURA A:
FIGURA A

Com base na FIGURA A, para uma carga Z com características puramente resistiva com um valor de resistência igual a !$ \mathsf{R_{carga}=100\Omega} !$ e uma tensão de entrada alternada e senoidal de 220V na frequência de 60Hz.
Calcule
A eficiência do retificador é de aproximadamente.
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Considere o seguinte circuito formado por uma chave CH 1, um diodo ideal D 1 e uma impedância Z conforme ilustrado na FIGURA A:
FIGURA A

Com base na FIGURA A, para uma carga Z com características puramente resistiva com um valor de resistência igual a !$ \mathsf{R_{carga}=100\Omega} !$ e uma tensão de entrada alternada e senoidal de 220V na frequência de 60Hz.
Calcule
O Valor eficaz aproximado de tensão na carga.
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Considere o seguinte circuito formado por uma chave CH1, um diodo ideal D1 e uma impedância Z conforme ilustrado na FIGURA A:
FIGURA A

Com base na FIGURA A, para uma carga Z com características puramente resistiva com um valor de resistência igual a !$ \mathsf{R_{carga}=100\Omega} !$ e uma tensão de entrada alternada e senoidal de 220V na frequência de 60Hz.
Calcule
O valor médio aproximado da tensão na carga.
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