Em relação à fotônica em silício, julgue os itens que se seguem.

O estado da arte da fotônica em silício permite a concepção de circuitos integrados fotônicos que funcionem em ambientes de altas temperaturas, razão por que lasers de altíssima potência são baseados nessa tecnologia.

Em relação à fotônica em silício, julgue os itens que se seguem.

Um passo importante para o desenvolvimento de um circuito integrado fotônico foi a integração de uma junção p-n a um guia de onda, criando-se um modulador de fase.

Em relação à fotônica em silício, julgue os itens que se seguem.

O especial interesse em utilizar-se silício em fotônica decorre da transparência do material para o espectro visível, o que permite a concepção de sistemas que aliem transporte de carga e de radiação com eficiência.

Em relação à fotônica em silício, julgue os itens que se seguem.

Um dos desafios para o desenvolvimento da fotônica em silício é a dispersão de luz no material.

Em relação a diodos emissores de luz (LED), julgue o item que se segue.

Um LED precisa ser construído a partir de um semicondutor inorgânico, pois o gap existente nesse material é necessário para a criação da região de depleção.

Em relação a diodos emissores de luz (LED), julgue o item que se segue.

Antes do processo de recombinação, a diferença entre as energias do elétron e do buraco em um LED azul é maior do que a diferença entre as energias do elétron e do buraco em um LED vermelho.

Em relação a diodos emissores de luz (LED), julgue o item que se segue.

A cor da luz emitida por um LED depende fundamentalmente da frequência de luz incidente, razão pela qual o encapsulamento desses dispositivos tende a ser transparente ou translúcido.

Em relação a diodos emissores de luz (LED), julgue o item que se segue.

Em geral, ao se conectar o anodo de um LED ao terminal negativo e o catodo ao terminal positivo de uma fonte de corrente contínua, o dispositivo tende a não emitir luz.

Certo dispositivo eletrônico fabricado com estanho (Sn) puro possui espessura igual a 10 mm. A resistividade do estanho a 20 °C é igual a 10⁻⁶ Ω∙m, a mobilidade dos elétrons desse dispositivo é igual a 0,0005 m² /(V∙s) e o coeficiente de temperatura da resistividade do silício é igual a 0,001 °C⁻¹.
Com base nas informações precedentes, julgue o próximo item.


A tensão Hall no dispositivo é igual a 10 μV para uma corrente de 25 A, com um campo magnético de 4 teslas imposto a uma direção perpendicular à corrente.

Certo dispositivo eletrônico fabricado com estanho (Sn) puro possui espessura igual a 10 mm. A resistividade do estanho a 20 °C é igual a 10⁻⁶ Ω∙m, a mobilidade dos elétrons desse dispositivo é igual a 0,0005 m² /(V∙s) e o coeficiente de temperatura da resistividade do silício é igual a 0,001 °C⁻¹.
Com base nas informações precedentes, julgue o próximo item.


A velocidade de arraste no dispositivo, considerando-se a aplicação de um campo elétrico de 30 V/m, é igual a 15 mm/s.