Magna Concursos

Foram encontradas 20.975 questões.

3420414 Ano: 2024
Disciplina: Engenharia Eletrônica
Banca: Marinha
Orgão: Marinha

O circuito abaixo mostra um amplificador MOSFET fonte comum. Os sinais de entrada e salda são acoplados por capacitores de alto valor (\( Z_c \rightarrow 0 \) na frequência de operação), assim como o resistor \( R_G \) de polarização é muito maior quando comparado aos resistores \( R_D \) e \( R_L \).

Enunciado 3929164-1

Assinale a opção que apresenta o valor do ganho de tensão \( v_0\ ⁄\ \ v_i \) considerando o modelo para pequenos sinais abaixo.

Enunciado 3929164-2

Dados:

\( R_D=R_L=8\ kΩ; \)

\( g_m=μ_n\ C_{ox}.\ \left(W\ ⁄\ L\right).\left(V_{GS}-V_l\right); \)

Tensão de limiar: \( V_l=1,5V; \)

\( μ_n\ C_{ox}=0,125\ mA\ ⁄\ V^2;\ \ \ \) e

\( \dfrac{W}{L}=2. \)

 

Provas

Questão presente nas seguintes provas
3420412 Ano: 2024
Disciplina: Engenharia Eletrônica
Banca: Marinha
Orgão: Marinha

Examine a figura abaixo.

Enunciado 3929162-1

Considere o filtro passa-baixas acima, com tensão de entrada \( V_i, \) tensão de saída \( V_o \) e atenuação limitada pelo resistor \( R_c=10\ Ω. \) Assinale a opção que apresenta a atenuação máxima em \( dB \) e a frequência de corte em \( rad/s.\ \)

Dados:

R = 9990Ω; e

C = 2 nF.

 

Provas

Questão presente nas seguintes provas
3420408 Ano: 2024
Disciplina: Engenharia Eletrônica
Banca: Marinha
Orgão: Marinha

A respeito do funcionamento de transistores bipolares de junção (TBJs) e transistores de efeito de campo (FETs), é correto afirmar que:

 

Provas

Questão presente nas seguintes provas
3420406 Ano: 2024
Disciplina: Engenharia Eletrônica
Banca: Marinha
Orgão: Marinha

Um dado sistema regulador possui a seguinte característica:

\( \dfrac{Y\left(s\right)}{U\left(s\right)}=\dfrac{5}{\left(s+1\right).\left(s+2\right).\left(s+4\right)} \)

Definindo-se as variáveis de estado\( x_1=y, \) \( x_2= \dot x_1 \) e \( x_3= \dot x_2 \), assinale a opção que apresenta o vetor de ganhos K do controlador de realimentação de estado \( u=-K.x \) que aloca os pólos de malha fechada em \( S_1=-1+j\dfrac{\sqrt{2}}{2},\ S_2=-1-j\dfrac{\sqrt{2}}{2},S_3=10. \)

 

Provas

Questão presente nas seguintes provas
3420399 Ano: 2024
Disciplina: Engenharia Eletrônica
Banca: Marinha
Orgão: Marinha

Considere o circuito abaixo.

Enunciado 3929149-1

Dados:

RA = 5 \( k \Omega \);

RB = 10\( k \Omega \); e

RL = 2 \( k \Omega \) .

Determine o ganho de potência em dB e assinale a opção correta,

 

Provas

Questão presente nas seguintes provas
3420396 Ano: 2024
Disciplina: Engenharia Eletrônica
Banca: Marinha
Orgão: Marinha

Analise o capacitor C e o gráfico da sua tensão \( v(t) \) em Volts.

Enunciado 3929146-1

Considerando o intervalo de tempo do gráfico, assinale a opção que apresenta, respectivamente, o maior valor absoluto da corrente \( i(t) \) e o maior valor de energia armazenada no capacitor.

 

Provas

Questão presente nas seguintes provas
3420395 Ano: 2024
Disciplina: Engenharia Eletrônica
Banca: Marinha
Orgão: Marinha

Considere o circuito abaixo, que contém um amplificador operacional ideal.

Enunciado 3929145-1

Assinale a opção que apresenta a função de transferência H(s) = Eo(s)/E\( i \)(s).

Dados:

R1 = 10 k\( \Omega \);

R2 = 100 k\( \Omega \),e

C = 100 \( \mu \)F.

 

Provas

Questão presente nas seguintes provas
3412822 Ano: 2024
Disciplina: Engenharia Eletrônica
Banca: Verbena
Orgão: Pref. Rio Branco-AC
Em projetos de circuitos com Transistores de Efeito de Campo Metal-Óxido-Semicondutor (MOSFETs) de canal n tipo enriquecimento, a polarização do MOSFET é uma etapa essencial. Para obter a saturação como modo de operação, é comum garantir a formação do canal n e fazer a interconexão de dois de seus terminais. Essa configuração é amplamente utilizada para projeto de espelhos de corrente. Nessa configuração, os terminais curtoscircuitados são
 

Provas

Questão presente nas seguintes provas
3412821 Ano: 2024
Disciplina: Engenharia Eletrônica
Banca: Verbena
Orgão: Pref. Rio Branco-AC
O Transistor de Efeito de Campo Metal-Óxido-Semicondutor (MOSFET) tipo enriquecimento de canal n é um transistor de quatro terminais, sendo eles: porta (G), dreno (D), fonte (S) e corpo (B). Na maioria das aplicações, o terminal do corpo (B) é interconectado ao terminal da fonte (S), reduzindo o número de terminais para três. Nessa configuração, as tensões de Corrente Contínua (DC) dos terminais de porta (VG), dreno (VD) e fonte (VS) determinam o ponto de polarização do dispositivo. Além disso, a análise do ponto de operação leva em consideração a tensão de limiar (Vt). A diferença de potencial entre dois terminais, como por exemplo entre os terminais D e S, utiliza a notação VDS. Para operação como amplificador de sinais, o MOSFET é colocado na região de operação conhecida como saturação. Nessa região de operação
 

Provas

Questão presente nas seguintes provas
3412815 Ano: 2024
Disciplina: Engenharia Eletrônica
Banca: Verbena
Orgão: Pref. Rio Branco-AC
Em um Circuito Integrado (CI) podem ser encontradas milhares de portas lógicas construídas sobre um material semicondutor, como por exemplo, o silício. A escala de integração e consequentemente a dimensão física do CI depende da tecnologia (Lógica Transistor-Transistor (TTL) ou Semicondutor Complementar de Óxido Metálico (CMOS)) e dos dispositivos (Transistor Bipolar de Junção (TBJ) ou Transistor de Efeito de Campo (FET)) utilizados na construção do CI. Os CIs serão menores e comportarão maior número de portas lógicas, à medida que for intensificado o uso de dispositivos do tipo
 

Provas

Questão presente nas seguintes provas