Com relação aos dispositivos semicondutores, é correto afirmar que:

Quanto aos diversos tipos de classificação de memória, assinale a opção correta.

Analise o circuito da Figura 5 abaixo:

Qual será o valor encontrado calculando a potência dissipada no circuito caso seja aplicada uma tensão de 24 V?

Observe o circuito ilustrado a seguir, composto por elementos passivos ideais e por uma fonte de tensão contínua.

Qual o valor do resistor R que promove a condição de máxima transferência de potência através dos terminais a e b?

Sobre o efeito dos raios nos diversos elementos dos sistemas elétricos de potência é INCORRETO afirmar que (,)

Analise as afirmações indicadas na sequência, referentes à ABNT NBR 5410.

I - O barramento de equipotencialização local é destinado a servir de via de interligação de todos os elementos que podem ser incluídos em uma equipotencialização suplementar.

II - A proteção básica contra choques elétricos constitui um meio destinado a suprir a proteção quando partes condutivas se tornam acidentalmente vivas.

III - O disjuntor DR é dimensionado para realizar o seccionamento mecânico (ou abertura de contatos) quando a corrente de fuga na instalação supera um limiar pré-estabelecido.

IV - OS DPS são dispositivos dimensionados para proteger a instalação elétrica contra correntes de curto circuito de baixa frequência.

Está correto apenas o que se afirma em

Analise as afirmações elencadas na sequência, referentes a sistemas de aterramentos elétricos.

I - O Método de Frank-Wenner é utilizado para se determinar diretamente a resistência de aterramento de configurações complexas.

II - Para fenômenos de frequências mais elevadas, tais como as descargas atmosféricas, a representação do aterramento como uma resistência elétrica não é suficiente para descrever a resposta do sistema.

III - Quanto menor a condutividade do solo onde está instalada uma linha de transmissão, melhor o seu desempenho frente à incidência de raios.

IV - O tratamento químico do solo apresenta-se como uma solução pouco efetiva para redução drástica da resistência de aterramento de configurações extensas de eletrodos.

Está correto apenas o que se afirma em