No circuito abaixo o operacional é ideal e está devidamente polarizado, mas o diodo é real e de germânio. No ponto E é aplicada uma tensão que pode ser variada, mas somente valores positivos.

Com a saída em S esta configuração nos indica que este é um circuito:

O circuito abaixo é implementado com MOSFETs Enhancement de canais “N”.

As entradas A e B podem receber tensões positivas, que correspondem a níveis “1” lógicos, ou tensões nulas, que correspondem a níveis “0” lógicos. Com entradas de níveis lógicos em A e B e saída em S, o circuito é uma porta:

O circuito abaixo é de um amplificador de potência de áudio, onde o gerador senoidal pode ter a amplitude variada, os transistores são de silício e de potência, que suportam Vce max = 100 V e Icmax = 10 A. A carga Rl = 4 Ω reais. Os módulos das tensões de saturação dos transistores T2 e T4 são de 2 Volts.

Sendo os módulos de + Vcc e – Vcc iguais a 34 Volts a potência máxima na carga, sem distorção por saturação, será de:

O circuito apresentado a seguir é um filtro ativo onde o operacional é ideal, está perfeitamente polarizado e os resistores e capacitores são exatos. Na entrada E é acoplado um gerador senoidal de amplitude constante e frequência variável.

Se C1=C2= 100 kpf, R1=R2=16 kΩ, R3=4 kΩ e R4=200 kΩ, a frequência ωo em que o módulo do ganho VS(ωo) é máximo, é:

Os monocristais que formam uma junção PN são dopados, respectivamente, com Na/cm³ de impurezas aceitadoras (por exemplo o Boro) e com Nd/cm³ de impurezas doadoras (por exemplo o Fósforo). Os cristais formam uma junção PN e consequentemente um diodo de junção. Quando se aumentam as dopagens, sem atingir as condições de degeneração, tanto do lado P quanto no lado N do diodo, pode-se concluir que aumenta a:

O circuito a seguir é alimentado pela tensão da rede elétrica de 120 VAC. Os diodos são ideais, o resistor é de 10 kΩ e os capacitores de 100 μF.

Algum tempo após a tensão da rede ser ligada o circuito entra em operação permanente, e o valor mais próximo para a tensão entre o ponto S e o ponto de aterramento é de:

O transistor do circuito abaixo é de silício e apresenta o ganho de corrente h_fe = 300 e h_ie = 1,0 kΩ e os capacitores têm reatâncias desprezíveis.

No ponto E aplica-se um sinal senoidal e_c (t) = sen ωt. O equivalente aproximado de Thèvenim entre o ponto S e o ponto de aterramento é uma fonte de:

O operacional no circuito abaixo é ideal. Quando a tensão aplicada no terminal positivo é maior que a tensão aplicada no terminal negativo, a saída é de +10,0 V e, quando ocorre o inverso, a saída é igual a – 10 V. O foto diodo tem uma corrente de escuro (dark current) de 10 μA e uma corrente de 150 μA, quando iluminado.

Se desejar que a tensão no ponto S seja – 10 V ou +10 V, dependendo da iluminação no foto-diodo, o melhor valor para o resistor R1 será de:

No circuito abaixo o operacional é ideal.

Inicialmente no ponto P é aplicada uma tensão que satura o transistor T1. Quando a tensão no ponto P for levada a zero tem-se, no ponto S, um sinal cuja função f(t) será:

O operacional do circuito abaixo é ideal e está perfeitamente polarizado.

Quando a chave K for aberta o circuito se comportará como um: