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Foram encontradas 1.834 questões.

1380428 Ano: 2012
Disciplina: Engenharia Eletrônica
Banca: FUNRIO
Orgão: CEITEC
Depois que o substrato exposto é processado, o fotorresiste é removido da superfície, deixando uma janela no dióxido de silício. Para a remoção do fotorresiste, utiliza-se tradicionalmente uma série de processos químicos secos ou em soluções líquidas nos strippers (processos de remover completamente o resiste), que fazem com que o resiste inche e perca sua adesão do substrato. Dentre os compostos de remoção completa de fotorresiste, qual o que tem o mecanismo de quebra de ligações e dissolução?
 

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1380331 Ano: 2012
Disciplina: Engenharia Eletrônica
Banca: FUNRIO
Orgão: CEITEC
Os microchips ou microdispositivos podem ser fabricados através de tecnologias convencionais ou alternativas, usando diferentes substratos planares. Nas tecnologias convencionais, há a necessidade do uso de uma fonte energética para fazer a transferência da imagem dos microcanais para o substrato utilizado. Tipicamente, essa transferência é primeiramente feita para a superfície de um polímero sensível à radiação utilizada, o qual pode ser denominado
 

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1380298 Ano: 2012
Disciplina: Comunicação Social
Banca: FUNRIO
Orgão: CEITEC
“Uma cobertura adequada dos acontecimentos sociais exige muitos métodos e dados: um pluralismo metodológico para uma necessidade metodológica”. (Gaskell, 2002). A pesquisa social possui diferentes métodos e ferramentas de estudo, e sua utilização dependerá da situação a ser pesquisada. A ferramenta de geração de dados que tem como princípio de delineamento o levantamento por amostragem chama-se
 

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1380297 Ano: 2012
Disciplina: Engenharia Elétrica
Banca: FUNRIO
Orgão: CEITEC
Analise as afirmativas abaixo:
I – Durante os estágios iniciais da oxidação, a concentração de dopantes não tem influência na taxa de crescimento do óxido.
II – Em óxido com grande concentração de dopante, a taxa de crescimento durante o estágio da oxidação controlado por difusão depende fortemente da concentração de impurezas no óxido de silício (SiO2).
III – A migração de dopante para o óxido enfraquece as ligações no óxido, o que facilita a difusão de oxigênio (O2) e água (H2O), aumentando a taxa de crescimento do óxido.
A(s) afirmativa(s) correta(s) é (são)
 

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1380261 Ano: 2012
Disciplina: Comunicação Social
Banca: FUNRIO
Orgão: CEITEC
A prática do jornalismo foi impactada pelas mídias sociais. Nesse contexto, o profissional deve levar em conta a arquitetura da informação, o que significa:
 

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1380258 Ano: 2012
Disciplina: Administração Geral
Banca: FUNRIO
Orgão: CEITEC
Com relação aos fatores inibidores à aplicação da Gestão pela Qualidade Total (GQT), analise as afirmativas abaixo:
I – O excesso de burocracia, fazendo-se perder de vista o resultado.
II – A preocupação em resultados imediatos.
III – A falta de um plano concreto de ação, contendo responsáveis pelas ações e prazos a serem cumpridos
Em relação aos itens acima são considerados fatores inibidores da Gestão pela Qualidade Total (GQT):
 

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1380220 Ano: 2012
Disciplina: Engenharia Eletrônica
Banca: FUNRIO
Orgão: CEITEC
No circuito abaixo, calcule o valor da tensão contínua Vdc em cima do resistor de 2K.
Considere !$ \sqrt{2} !$ =1,4 e !$ \pi=3 !$.
O transformador possui um enrolamento primário com 100 espiras e um secundário com derivação central com 200 espiras em cada metade do enrolamento.
Enunciado 1380220-1
 

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1380154 Ano: 2012
Disciplina: Engenharia Eletrônica
Banca: FUNRIO
Orgão: CEITEC
A Tecnologia de Identificação por Radiofrequência pode ser considerada uma evolução do sistema tradicional de códigos de barras, sendo correto afirmar que:
1) A antena, transceiver (com decodificador) e transponder não fazem parte dessa tecnologia.
2) Nessa tecnologia os códigos de barras unidirecionais são colocados nos produtos que contêm uma senha que pode ser rastreado por radiofrequência.
3) Essa tecnologia consiste basicamente em seis componentes físicos (equipamentos).
Sobre essas afirmativas, pode-se dizer que:
 

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1380129 Ano: 2012
Disciplina: Engenharia Eletrônica
Banca: FUNRIO
Orgão: CEITEC
Na tecnologia de fabricação de Circuitos Integrados, a deposição por vapor químico (CVD- chemical vapour deposition) é um processo pelo qual os gases ou vapores são usados para depositar o SiO2 sobre o substrato de silício. A camada de óxido, formada por CVD, não apresenta as mesmas características da camada crescida termicamente, mas é eficiente como isolante térmico. Além disso, uma vantagem da camada de SiO2 produzida pelo CVD, comparada com a produzida por crescimento térmico, é
 

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1380115 Ano: 2012
Disciplina: Comunicação Social
Banca: FUNRIO
Orgão: CEITEC
A publicidade é somente uma das várias forças do mercado que conduzem ao objetivo final de uma venda. As atividades que incentivam as vendas, predispondo os consumidores à compra, é a força de
 

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