Pretende-se construir dois equipamentos eletrônicos, com características específicas de operação, em que o equipamento A deve ser mais estável em relação à temperatura, com impedância de entrada elevada e economia de potência para sinais digitais, ao passo que o equipamento B deve apresentar maior robustez quanto às descargas de eletricidade estática quando for manuseado e um ganho de tensão mais elevado.

Considerando-se as características apontadas e os dispositivos eletrônicos, julgue o item subsequente.

O equipamento B deve ser construído com transistores de efeito de campo do tipo MOSFET.

Pretende-se construir dois equipamentos eletrônicos, com características específicas de operação, em que o equipamento A deve ser mais estável em relação à temperatura, com impedância de entrada elevada e economia de potência para sinais digitais, ao passo que o equipamento B deve apresentar maior robustez quanto às descargas de eletricidade estática quando for manuseado e um ganho de tensão mais elevado.

Considerando-se as características apontadas e os dispositivos eletrônicos, julgue o item subsequente.

Pelas características de impedância de entrada mais elevada e economia de potência para sinais digitais, o equipamento A deve ser construído com transistores de efeito de campo, em lógica complementar.

Pretende-se construir dois equipamentos eletrônicos, com características específicas de operação, em que o equipamento A deve ser mais estável em relação à temperatura, com impedância de entrada elevada e economia de potência para sinais digitais, ao passo que o equipamento B deve apresentar maior robustez quanto às descargas de eletricidade estática quando for manuseado e um ganho de tensão mais elevado.

Considerando-se as características apontadas e os dispositivos eletrônicos, julgue o item subsequente.

As especificações desejadas para o equipamento B serão obtidas caso ele seja construído com díodos Zener.

Pretende-se construir dois equipamentos eletrônicos, com características específicas de operação, em que o equipamento A deve ser mais estável em relação à temperatura, com impedância de entrada elevada e economia de potência para sinais digitais, ao passo que o equipamento B deve apresentar maior robustez quanto às descargas de eletricidade estática quando for manuseado e um ganho de tensão mais elevado.

Considerando-se as características apontadas e os dispositivos eletrônicos, julgue o item subsequente.

Como o equipamento A deve ser mais estável em relação à temperatura, recomenda-se construí-lo com a utilização de transistores bipolares de junção.

Considerando-se o circuito apresentado na figura precedente e as famílias de circuitos lógicos, julgue o seguinte item.

A contínua dissipação de potência representa uma desvantagem caso as portas lógicas do circuito mostrado sejam construídas com tecnologia CMOS.

Considerando-se o circuito apresentado na figura precedente e as famílias de circuitos lógicos, julgue o seguinte item.

Caso o circuito seja implementado com a família TTL e a entrada A não seja conectada, o circuito integrado interpreta que A está no nível alto.

Considerando-se o circuito apresentado na figura precedente e as famílias de circuitos lógicos, julgue o seguinte item.

Para aumento de desempenho quanto à velocidade, o circuito mostrado deve ser implementado com TTL Schottky de baixa potência ao invés da família TTL padrão.

Considerando-se o circuito apresentado na figura precedente e as famílias de circuitos lógicos, julgue o seguinte item.

O circuito apresentado pode ser simplificado para Y = A ( + C).

Acerca de memórias e barramentos presentes em microcomputadores, julgue o item subsecutivo.

A memória cache não necessita de algoritmo de substituição e apresenta alta velocidade de operação.

Acerca de memórias e barramentos presentes em microcomputadores, julgue o item subsecutivo.

Os sistemas que utilizam memórias RAM de alta velocidade requerem a tecnologia assíncrona para acesso, a qual não é sincronizada com o relógio do sistema.