A tensão elétrica entre os terminais de um diodo Zener, em sua região normal de operação, depende muito pouco da corrente que passa por ele, motivo pelo qual ele é freqüentemente empregado em reguladores de tensão.

A operação do diodo Zener baseia-se no fenômeno de ruptura da junção PN, que não ocorre no diodo convencional.

O transistor MOS canal N aproxima-se de uma chave ideal nas aplicações digitais, mas degrada ligeiramente o nível lógico 0, ao passá-lo de fonte para dreno.

Em aplicações digitais, o transistor bipolar costuma ser usado nas regiões de corte e de saturação. A região ativa é evitada visando diminuir a dissipação de potência. A porta lógica ECL é uma exceção, onde se aceita um consumo mais alto de potência em favor de chaveamento mais rápido.

O baixo consumo de corrente na porta, principal vantagem dos FET, é uma característica que se nota especialmente quando o sinal conectado à porta é de alta freqüência.

Em FET, o terminal denominado porta (gate) fica eletricamente isolado do substrato.

O transistor MOS, base da tecnologia microeletrônica moderna, é um exemplo de transistor bipolar.

Do ponto de vista funcional, o BJT é uma chave eletrônica controlada por tensão, enquanto o FET é uma chave eletrônica controlada por corrente.

O termo bipolar, no BJT, refere-se ao fato de que tanto elétrons quanto lacunas contribuem para a corrente, o que não ocorre no FET.