A equação característica do diodo semicondutor PN é descrita pelo modelo exponencial de Shockley:

\( I_D = I_S \left( e^{\dfrac{V_D}{n V_T}} - 1 \right) \)

Sabe-se que I_S é a corrente de saturação reversa, \(V_T = \dfrac{kT}{q}\) é a tensão térmica e n é o fator de idealidade. Considere um diodo de silício operando a 300 K, com I_S = 10^-12 A, n = 1, conduzindo uma corrente direta de 5 mA. Desprezando o termo “−1” da equação, a tensão direta aproximada no diodo será