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3173089 Ano: 2024
Disciplina: Engenharia Eletrônica
Banca: OBJETIVA
Orgão: FEAS-Curitiba
Provas:

Sobre dispositivos semicondutores de potência, numerar a 2ª coluna de acordo com a 1ª e, após, assinalar a alternativa que apresenta a sequência CORRETA:

(1) Tiristores.

(2) Estrutura PNPN.

(3) Retificador Controlado de Silício (SCR).

(4) Circuitos de Aplicação.

( ) Composto por três camadas PNPN, que permite o controle unidirecional da corrente elétrica, utilizados para retificação controlada em circuitos de corrente alternada.

( ) Composto por quatro camadas, controlado por um sinal de disparo, aplicado em retificação controlada e controle preciso de corrente elétrica em fontes de alimentação e controles de motores.

( ) Composto de quatro camadas, consistindo em duas regiões tipo P e duas regiões tipo N, formando a base para dispositivos tiristores como o SCR.

( ) Utilização prática de dispositivos eletrônicos, como tiristores e seus derivados, em diversas áreas para atender às necessidades específicas de sistemas eletrônicos.

 

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Técnico - Eletrotécnica

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