Observe as figuras abaixo.

Assinale a opção que apresenta, respectivamente, os tipos de transistores representados nas figuras acima.

Sobre o cálculo de potência e transformadores, analise as afirmativas abaixo e assinale a opção correta.

I - A especificação de potência de um resistor utilizado em um circuito qualquer deve ser o dobro da calculada pela equação P =I²R, de forma a evitar que esse componente queime.

II - Um cavalo-vapor (1 hp) é equivalente a 746 W de potência elétrica.

III - A quantidade de energia liberada em 5 horas por um gerador que fornece 5 kW é de 30 kWh.

IV - Para um transformador ideal, a potência de entrada no primário é igual à potência de saída no secundário.

Qual é a capacitância do dispositivo que armazena 8 Coulombs de carga com 2 V nos seus terminais?

Considere um circuito com resistência total de 20 \( Ω \) e indutância de 50 H. Admitindo que tanto em circuitos capacitivos como em circuitos indutivos, as tensões e correntes atingem seus valores estacionários após cinco constantes de tempo, determine em quantos segundos a corrente atingirá seu valor de estado estacionário e assinale a opção correta.

Observe o circuito abaixo.

Analise o circuito acima, calcule os valores das tensões em V₁, V₂ e V₃, e assinale a opção correta.

A diferença básica entre memória tipo A e B é a capacidade de reutilização que as do tipo B possuem (podem ser apagadas e:reescreverem dados) e que as do tipo A não possuem (só podem ser escritas uma única: vez). Assim, assinale a opção que apresenta as memórias A e B, respectivamente.

Observe o circuito abaixo.

Determine a capacitância total do circuito, vista entre os pontos A e B, e assinale a opção correta.

Assinale a opção que apresenta a correta identificação dos símbolos-padrão relacionados abaixo:

O diodo é formado pela junção p-n. Considerando a condição de polarização do dispositivo e as características decorrentes dessa alimentação, assinale a opção correta.

Considere um processo em que um material semicondutor impuro com 20 bilhões de átomos de silício é submetido à dopagem com átomos pentavalentes na quantidade de 25 milhões. Esse processo resulta em um material impuro ou extrínseco com aproximadamente: